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互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)可望挾尺寸、成本優(yōu)勢(shì)快速崛起。高通(Qualcomm)推出支持LTE的CMOS PA后，已引起業(yè)界對(duì)此更小型、低成本的射頻(RF)元件高度關(guān)注，尤其中低端手機(jī)制造商更將其視為升級(jí)產(chǎn)品通訊規(guī)格的重要途徑而擴(kuò)大導(dǎo)入，將有助CMOS PA在傳統(tǒng)三五族(III/V)PA技術(shù)環(huán)伺的市場(chǎng)殺出重圍。

　　英飛凌(Infineon)應(yīng)用工程暨技術(shù)行銷(xiāo)總監(jiān)Heiss Heinrich表示，目前用于PA與低雜訊放大器(LNA)等主動(dòng)式射頻元件的技術(shù)共有四種，分別為CMOS、砷化鎵(GaAs)、矽鍺碳(SiGe:C)及最新的氮化鎵(GaN)。由于射頻元件通常要求高穩(wěn)定性、高線性與效率，因此市場(chǎng)一向由磷化銦鎵(InGaP)/砷化鎵異質(zhì)接面雙極性電晶體(HBT)等傳統(tǒng)三五族材料，或矽鍺碳技術(shù)所把持；然而，近期CMOS方案的效能突飛猛進(jìn)，已使射頻元件技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)產(chǎn)生變化。

　　特別在處理器大廠高通力拱之下，CMOS PA發(fā)展聲勢(shì)更是一夕高漲。該公司在今年全球行動(dòng)通訊大會(huì)(MWC)中，搶先業(yè)界發(fā)表可支持LTE多頻多模的CMOS PA，不僅大幅拉近CMOS與傳統(tǒng)三五族PA技術(shù)的效能差距，更可望挾CMOS制程成本較低，并可提升周邊元件整合度的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，助長(zhǎng)CMOS PA在低端智能手機(jī)的滲透率。

　　Heinrich認(rèn)為，CMOS PA在入門(mén)級(jí)手機(jī)和低端智能手機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒂鷣?lái)愈具主導(dǎo)力，主因系CMOS制程相當(dāng)成熟，用于PA電路設(shè)計(jì)的彈性與可能性勢(shì)必較三五族HBT技術(shù)提升不少；同時(shí)CMOS PA還能整合周邊元件提高性?xún)r(jià)比，遂取得有利發(fā)展位置。

　　與此同時(shí)，高通投資大量資源在中國(guó)大陸市場(chǎng)推廣高通參考設(shè)計(jì)(QRD)，亦有助其CMOS PA加速在中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)打開(kāi)能見(jiàn)度。高通表示，CMOS PA整合封包功率追蹤器(Envelope Power Tracker)、諧波預(yù)失真、天線切換器和匹配調(diào)諧器等元件，效能足以媲美傳統(tǒng)三五族PA方案，占位空間亦可減少一半以上，且能以CMOS制程快速放量壓低成本，未來(lái)將吸引更多手機(jī)制造商青睞。

　　不過(guò)，CMOS PA的高頻操作性能仍有待改善，短期內(nèi)不容易打進(jìn)高端LTE Cat.4、LTE-Advanced，或達(dá)到Gbit/s傳輸速率的802.11ac手機(jī)射頻模組。Heinrich強(qiáng)調(diào)，高端手機(jī)相當(dāng)注重射頻性能，傳統(tǒng)PA技術(shù)因材料特性相對(duì)CMOS穩(wěn)定，市場(chǎng)占有率將維持高檔表現(xiàn)。為因應(yīng)未來(lái)更高頻的無(wú)線通訊應(yīng)用需求，英飛凌亦已開(kāi)發(fā)全新的第八代雙極矽鍺碳技術(shù)，將進(jìn)一步催生高整合、高效能且小尺寸的射頻模組，防堵CMOS PA業(yè)者攻勢(shì)。