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發布日期：2022-10-14 點擊率：59
射頻電路設計實錄（RF Design Record，簡稱RDR）是無線時代網站推出的系列射頻技術文章，記錄了一款產品的完整設計過程。本文是其中的第三章，硬件架構設計與元器件選型。
3.1 LDMOS選型
3.1.1 LDMOS廠商的選擇
根據第二章給出的技術規格，不難得出，整個產品的最大難點在于高階調制方式下的10W平均射頻輸出功率，常規的MMIC都是無法滿足要求的。根據已有經驗，在W-CDMA，TD-LTE基站設備中，通常使用LDMOS作為功率放大器，因此，LDMOS也就成為了這款產品的核心器件。Freescale，Infineon，NXP是三個LDMOS的主要生產廠家。
說說我對這三家公司的認識。Freescale是由Motorola成立的半導體公司，其設計生產的PowerPC，MCU，射頻器件廣泛應用在網絡通信，無線基礎設施，工業控制領域，本人經常使用Freescale的PowerPC與i.MX系列ARM處理器。
Infineon是一家德國公司，其產品性能真心不錯，我經常使用Infineon的LNA，其實最早也是出現在Atheros的參考設計中，其性能指標真的很好。
NXP是由Philips成立的半導體公司，其射頻器件本人至今還未使用過，倒是用過他們的一些邏輯器件，LDO等芯片。
由于之前對Freescale最熟悉，另外與其代理商Avnet的FAE很熟悉，所以我比較傾向于選擇Freescale的LDMOS。這里需要指出的是，并不是本人不愿意嘗試新鮮的器件，技術，只是由于時間限制，不可能花太多的時間在這方面，如果時間足夠寬裕，我會考慮選擇Infineon和NXP的LDMOS。我相信這其實也是廣大工程師做產品開發時會普遍遇到的問題，由于公司或者所里面上層領導的壓力，不得不做出讓步，只能選擇自己熟悉的半導體器件，以便縮短開發時間和降低開發風險。另一方面，如果一個FAE前期提供了很多支持，同時這家公司的器件可以很好地滿足產品需求，那么從道義上講也應該選擇這家公司的器件，否則會很讓人心寒。
3.1.2 LDMOS具體器件的選擇
上一節已經確定了使用Freescale的LDMOS作為核心器件。這一節的主要內容就是要找到一顆合適的Freescale的LDMOS。Freescale的射頻器件網址是http://www.freescale.com/webapp/sps/site/homepage.jsp?code=RF_HOME，左側是射頻功率器件，按照不同的頻率劃分為不同的分類。其中有一個“ISM Band -2450MHz”分類很吸引人，點擊這個分類，可以看到有三顆器件，如表3-1所示。
表3-1 ISM Band 2450MHz
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Sr. # |
Product (# of Parts) |
Description |
Frequency |
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1 |
MRF6P24190HR6 (2) |
2450 MHz, 190 W, 28 V CW Lateral N-Channel RF Power MOSFET |
2450 to 2450 |
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2 |
MRF6S24140H (4) |
2450 MHz, 140 W, 28 V CW Lateral N-Channel RF Power MOSFETs |
2450 to 2450 |
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3 |
MW7IC2425N (3) |
2450 MHz, 25 W CW, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs |
2450 to 2450 |
表面上看，MRF6P24190HR6和MRF6S24140H的1dB壓縮點都達到了100W以上，完全可以滿足要求，但是經過與FAE的溝通，得知這幾顆器件比較老，而且不適合做寬頻的信號放大，這也解釋了為什么這三顆器件的工作頻率范圍是2450-2450MHz。
經過FAE的推薦，我選擇了MRF8S26060H，一款適用于W-CDMA基站的放大器，雖然MRF26060H的官方描述為“2620-2690 MHz, 15.5 W Avg., 28 V Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs”，但是相對于其他的放大器，MRF8S26060H在2.4GHz頻段仍具有較高的增益，如圖3-1所示。
圖3-1 MRF26020H頻率響應曲線
MRF26020H的1dB壓縮點為60W（連續波），即47.8dBm，考慮802.11n MCS7速率下峰均比約為8dB，則MRF26020H可輸出39.8dBm的平均功率，很接近目標值，但是考慮到TR Switch的插損以及器件的不一致性，如果使用2顆MRF26020H做功率合成，則可以很好地滿足產品技術規格要求。
這時，肯定有讀者會發出質疑，為什么最終還是FAE推薦的？其實有一個事實，我們不得不承認：我們永遠不可能比FAE更熟悉元器件。FAE能夠了解到元器件廠商的最新信息，包括大家廣泛使用的是什么，哪顆器件交期，價格比較好等等。這樣，就可以避免設計人員走很多彎路。充分利用已有的資源，我認為也是一個合格的工程師需要具備的能力。
最終，我選擇Freescale MRF8S26060H LDMOS作為產品的功率放大器，也是產品的核心器件。
3.2 驅動放大器選型
從圖3-1中可以看出，LDMOS在2400-2500MHz頻率范圍內增益約為16dB，2顆LDMOS做功率合成的話，其增益為19dB，為了得到40dBm的平均輸出功率，單顆LDMOS的輸入端至少要達到21dBm，則LDMOS的總輸入功率為24dBm。24dBm這樣的輸出功率對于運營商無線AP來說也許不是問題，但是對于家用路由器，如TP-Link，D-Link這類產品，其802.11n MCS7速率下的輸出功率遠遠達不到。因此，為了兼容市面上大多數產品，需要在LDMOS之前使用驅動放大器，并保證可以輸出24dBm以上的輸出功率。
這時，另外一位FAE，也是我的好友，為我提供了有用的信息。RFPA5201E是著名射頻器件廠商RFMD推出的一款大功率2.4GHz WLAN射頻功率放大器，其射頻輸出功率可達29dBm，并滿足EVM=3%，可以很好地滿足本產品的需求。
RFPA5201E的主要參數，如圖3-2所示。
圖3-2 RFPA5201E的主要參數
3.3 數調衰減器選型
在3.2中，可以看到RFPA5201E的典型增益為33.5dB，這是相當高的增益，為了能夠靈活地調整整版的射頻輸出功率，需要在驅動放大器之前增加一級數調衰減器，數調衰減器+驅動放大器，使得后續的自動增益控制（AGC）成為了可能，自動增益控制也是一款合格的大功率射頻產品必備的特性。
PE4302是Peregrine Semiconductor公司的一款數字可調射頻衰減器，適用于FM，WCDMA，WLAN，WiMAX等產品的閉環功率控制。PE4302的最大衰減31.5dB，步進0.5dB，工作頻率為DC-4GHz，可以通過并行/串行數據接口進行控制。其主要參數如圖3-3所示。
圖3-3 PE4302主要參數
PE4302的衰減量可調范圍為31.5dB，配合驅動放大器RFPA5201E的33.5dB固定增益，則AGC的調整范圍為2-33.5dB，足以滿足各種場合。
但是，有一點必須注意，PE4302的最大輸入功率為24dBm，如圖3-4所示。考慮802.11n MCS7速率下8dB的功率回退，則PE4302的最大平均輸入功率變為24-8=16dBm，而運營商級，企業級無線AP的輸出功率往往會高于16dBm，因此，有必要在PE4302之前增加一級固定衰減器，這里我選定為12dB，后續將會在硬件設計框圖中看到。
圖3-4 PE4302工作范圍
3.4 TR Switch選型
從3.1中可以得知，整版射頻輸出功率峰值可達120W以上，這就對TR Switch提出了很高的要求， WiFi產品常用的TR Switch如NEC uPG2179，NEC uPG2409，Skyworks SKY13370，RFMD RF8000均無法滿足這樣的要求。嘗試查找環形器，發現沒有2.4GHz頻段的成品，只能定制。
無意間想起了以前曾經接觸過的PIN Diode，適合用于大功率射頻電路的收發切換，查找Skyworks的官方網站，發現有合適的產品可以使用。Skyworks的SKY12207-478LF是一款CW （Continue Wave）50W，峰值功率300W的大功率PIN Diode Switch，完全可以滿足需求。
使用PIN Diode Switch的一個缺點是需要特殊的驅動電路，無線時代網站有專稿講解PIN Diode Switch的驅動電路設計與調試，感興趣的讀者可以訪問https://www.witimes.com/pin-diode-driver/。
3.5 低噪聲放大器的選型
因為這款產品將會與成品無線AP連接，因此，這款產品的LNA就成為了接收鏈路的第一級，那么讀者一定知道了這里的LNA的重要性：第一級LNA的噪聲系數對于系統噪聲系數懂的貢獻是最大的，因此應當盡可能將這一級的LNA的噪聲系數降至最低。
與一些做手機基站的朋友溝通，得知基站中通常選用噪聲系數0.4dB以下的器件，這對于 WiFi產品來說似乎比較困難。BFP740是Infineon推出的高性能低噪聲放大器，其噪聲系數典型值為0.5dB@1.8GHz，0.85dB@6GHz，其轉折頻率高達42GHz。BFP740也是出現在Atheros參考設計中的一顆LNA，一直以來都覺得不錯，因此本產品我選擇BFP740作為低噪聲放大器，其噪聲系數在可接受范圍內。
3.6 對數放大器的選型
我相信很多讀者第一次聽到對數放大器這種器件，這個產品使用對數放大器主要是用于駐波比檢測。以下內容摘自ADI官方網站，很好地介紹了ADL5519的特性及應用。
ADL5519是一款雙通道解調對數放大器，內置兩個AD8317，能夠將射頻（RF）輸入信號精確地轉換為相應的分貝標度輸出。它可以為兩個RF測量通道提供精確調整的獨立對數輸出電壓。該器件具有兩個附加輸出端口OUTP和OUTN，用來提供OUTA與OUTB通道之間的測量差。由于片內通道匹配，因而對數放大器輸出對溫度和工藝變化不敏感。
對于1 MHz至8 GHz信號，ADL5519能保持精確的對數一致性，并能在最高10 GHz下工作。±3 dB典型動態范圍為62 dB，±1 dB動態范圍大于50 dB (電阻：50 Ω)。ADL5519的響應時間為6 ns/8 ns（下降時間/上升時間），能夠檢測脈沖頻率大于50 MHz的RF突發脈沖。在環境溫度條件下，該器件具有極佳的對數截距穩定性。它采用3.3 V至5.5 V電源供電，典型功耗為60 mA，在禁用狀態下功耗可降至1 mA以下。
這款器件能夠同時提供四個對數放大器測量結果。線性dB測量結果由OUTA和OUTB提供，具有方便調整的?22 mV/dB斜率。OUTA與OUTB之間的對數放大器差值可作為差分或單端信號在OUTP和OUTN上獲得。施加于VLVL上的可選電壓提供一個共模基準電平，用來使OUTP和OUTN偏置于地電位以上。寬帶輸出引腳可以支持多種系統解決方案。
ADL5519的任一輸出引腳經過配置，均可向可變增益放大器(VGA)提供一個控制電壓。輸出引腳的寬帶噪聲問題得到了特別處理，可降至最低，因此可用于控制器應用。
ADL5519采用SiGe雙極性IC工藝制造，并采用5 mm × 5 mm、32引腳LFCSP封裝，工作溫度范圍為?40°C至+125°C。
ADL5519的典型應用如下：
查閱ADL5519的Datasheet，可以看到，測量駐波比，是ADL5519的一種主要應用，其應用框圖如圖3-5所示。我選定ADL5519作為駐波比檢測芯片，并配合AD轉換芯片完成控制。
圖3-5 ADL5519測量電壓駐波比
3.7 硬件設計框圖
3.1-3.6介紹了所有核心器件的選型，如果分析得沒有錯誤的話，只需要配合電源電路，簡易數字電路與控制電路，就可以實現預期的技術指標，這時，可以給出如圖3-6所示的硬件設計框圖（未包含VSWR檢測電路，未包含控制電路）。圖中給出了IEEE 802.11n HT20 MCS7模式下各個位置的射頻功率及部分器件的插損。可以看到，本設計可以支持7.5dBm-45dBm的輸入功率范圍，足以匹配任何2.4GHz WLAN AP/路由器。感興趣的讀者可以仔細這張硬件設計框圖，希望能夠理解設計思路。
圖3-6 硬件設計框圖
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