發布日期：2022-10-09 點擊率：126
ISL6622、ISL為二極管仿真、服務器、臺式機、游戲應用的柵極電壓優化有助于實現最佳輕負載性能
美國加州、MILPITAS — 2008年10月30日 — 全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司（納斯達克全球精選市場交易代碼：ISIL）今天宣布，推出新系列12V至5V同步整流降壓式MOSFET驅動器，為英特爾 VR11.1系統提供業界最高的輕負載效率。
ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有的吸收能力，以及快速上升/下降時間，支持高達1MHz的開關頻率。這將有助于實現非常高的總體效率。
ISL6622結合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N溝道MOSFET，其先進PWM協議可為先進微處理器提供完整的內核電壓穩壓器解決方案。
ISL6622有助于實現提高輕負載效率所需PSI模式期間的二極管仿真操作，并通過電感器電流為零時的檢測實現非連續導通模式（DCM）。當檢測到“零”時，低側MOSFET處于關斷狀態，以防止出現吸收電流并消除伴隨反向電流的功率損失。Intersil的柵極電壓優化技術（GVOT）還可用于PSI模式；通過降低柵極驅動電壓，可以顯著降低控制輕負載條件下總功耗損失的開關損耗。這增加了ISL6622提供的總效率。
這些PWM控制器還具有自適應擊穿保護功能，以防止高低側MOSFET的同時導通。此外，這些控制器還集成了一個20kΩ的高側柵極至源極電阻器，以防止由于高輸入總線差動電壓引起的自導通。
與VCC同時操作的過壓保護可以降至POR閾值：PHASE節點可通過一個10kΩ電阻器連接至低側MOSFET（LGATE）的柵極，以使轉換器的輸出電壓保持接近低側MOSFET柵極閾值。這種能力可以防止出現負載高側MOSFET短路的情形。
該驅動器采用具有不同驅動電壓的兩種封裝類型。ISL6622采用8引線SOIC封裝，可在正常PWM模式期間將高側和低側柵極驅動至VCC；在PSI模式時將低側柵極降至固定 V典型值。ISL采用10引線DFN封裝，通過UVCC引腳可以將高側柵極驅動到5V至12V；低側柵極有一個可選的電阻器，可以在PSI模式下驅動V、和的典型電壓。
今天推出的新系列MOSFET驅動器適用于采用英特爾處理器構建的各種服務器、工作站、臺式機和游戲主板應用。同時，它們也是VRM應用的理想設計方案。
定價及供貨情況
現已上市的ISL6622/A/B采用8引線SOIC封裝，1,000定購批量的定價為每片美元，而10引線DFN封裝的1,000定購批量定價為每片美元。
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關于Intersil 電源管理產品系列
Intersil 公司是一家全球公認的電源管理解決方案領導廠商，提供可簡化各種電源設計的豐富的產品組合。Intersil公司的電源管理IC系列涉及的范圍極廣，從諸如電荷泵等構建模塊到高度集成、多輸出和多相位PWM產品，以及四路電壓熱交換控制器。作為超過20億片出貨量的PWM 控制器 IC 領域領導廠商，Intersil公司可滿足包括計算、通信、外設、顯示、網絡、電信、工業、儀器儀表和電池供電產品在內的多種應用的電源管理需求。
關于Intersil
Intersil公司是設計和制造高性能模擬半導體元件的領先廠商。公司的產品可以滿足多個業界增長最快的市場，如平板顯示器、移動電話、其他手持設備和筆記本電腦。Intersil的產品系列具有電源管理功能和模擬信號處理功能，這些產品包括用于電池管理的IC、熱交換和熱插拔控制器、線性穩壓器、電源排序器、監控IC、橋式驅動器、PWM控制器、開關型DC/DC穩壓器和功率MOSFET驅動器；以及光存儲激光二極管驅動器、DSL線路驅動器、視頻和高性能運算放大器、數據轉換器、接口IC、模擬開關和多路復用器、交叉點開關、VoIP器件；此外還有軍事、航天和抗輻射應用的專用IC。
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