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【導讀】中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導致嚴重EMI的重要原因。Vishay最新開發的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。

Vishay推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上，容量從0.047μF到10μF，可在+105℃高溫下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7個電壓等級。
 

MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰，這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來源。典型應用包括功率轉換器、頻率轉換器，以及風力機逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機驅動。

Vishay還提供結構長度58mm的器件，用于高功率IGBT模塊。緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ，容量公差±5 %，引線間隔的每毫米自感為0.7nH，RMS電流高達20A。器件采用阻燃塑料外殼和環氧樹脂密封，無鉛、無鹵素，符合RoHS指令。

MKP386M現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為十周到十二周。