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　　在增加3D NAND層時(shí)，最大的難題就是要克服芯片生產(chǎn)流程中對(duì)長(zhǎng)寬比的限制，否則層數(shù)將始終無(wú)法取得突破。串堆疊技術(shù)則能夠幫助我們有效解決這一長(zhǎng)寬比難題。

　　美光NAND晶圓

　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始發(fā)布48層3D NAND，也就是其第三代產(chǎn)品；其相當(dāng)于把48塊平面（2D）NAND晶片彼此進(jìn)行堆疊。美光公司及其合作伙伴英特爾則掌握著32層3D NAND。西部數(shù)據(jù)/SanDisk與東芝則同SK海力士一樣，都擁有著48層芯片樣品。

　　3D代工流程不僅涉及對(duì)2D NAND的水平層疊，同時(shí)還需要蝕刻數(shù)據(jù)通孔--即各層間的垂直傳輸通道--而這又是另一項(xiàng)挑戰(zhàn)。一旦層數(shù)超過(guò)64層，現(xiàn)有蝕刻設(shè)備將很難保質(zhì)保量地完成通道加工任務(wù)。

　　3D芯片以基片為設(shè)計(jì)起點(diǎn)，在此之上使用汽相淀積工藝任選沉積的化合物作為NAND單元組件。這些沉積層形成字線(xiàn)，后者接入單元中的各行，而位線(xiàn)則在金屬層中橫向跨越以上沉積層。

　　位線(xiàn)與字線(xiàn)間呈九十度垂直關(guān)系，同樣接入一列或者一串單元。其中字線(xiàn)與位線(xiàn)的交叉點(diǎn)被定義為單元地址。在3D NAND晶片中，亦有多條垂直串貫穿各層，用于連接各層上的不同位線(xiàn)。一塊三星3D NAND芯片可包含最高250萬(wàn)個(gè)這樣的通道，其制造難度可想而知。

　　在該層沉積完成后，掩模即被放置在其上，而后是進(jìn)行通孔蝕刻。接下來(lái)，繼續(xù)利用蝕刻工藝在各底層與基片之間切割信道。多余的材料被移除，這樣通孔即制作完成。各通孔必須實(shí)現(xiàn)精確定位且尺寸要求均勻，通孔絕不可扭曲、粗細(xì)不均或者開(kāi)過(guò)頭，否則會(huì)破壞芯片本身。

　　由Lam Research發(fā)布的3D NAND蝕刻工藝示意圖。

　　在長(zhǎng)寬比方面（即垂直高度與通道寬度間的比值），當(dāng)前蝕刻技術(shù)可達(dá)到30：1到40：1之間，適用于32層與48層芯片設(shè)計(jì)。而即將推出的64層芯片則需要將這一比值調(diào)整至60：1到70：1之間，這意味著對(duì)應(yīng)的制程工藝還不存在。

　　展望未來(lái)，3D NAND還將迎來(lái)96層乃至128層結(jié)構(gòu)，其將需要更為夸張的長(zhǎng)寬比水平--可能在110：1到120：1之間。

　　NAND代工方需要等待相關(guān)蝕刻機(jī)技術(shù)的開(kāi)發(fā)，或者直接堆疊現(xiàn)有3D晶片實(shí)現(xiàn)容量提升，例如將兩塊64層晶片疊加為128層，或者將兩塊48層晶片疊加為96層。兩塊晶片之間依靠一個(gè)金屬層與位串連接線(xiàn)進(jìn)行對(duì)接，從而實(shí)現(xiàn)所謂“串堆疊”機(jī)制。從理論層面講，大家也可以將更多3D晶片進(jìn)行堆疊。

　　這是一種潛在的可行方式，意味著我們有機(jī)會(huì)迎來(lái)64層、96層以及128層3D NAND芯片，從而繼續(xù)保證3D NAND芯片擁有理想的存儲(chǔ)容量增長(zhǎng)速度。