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美國波特蘭消息—隨著日本宇宙航空研究開發(fā)機構發(fā)射SpriteSat衛(wèi)星,MRAM技術已經(jīng)向太空應用挺進。據(jù)瑞典Angstrom Aerospace公司宣布,其微機電系統(tǒng)磁強計將采用MRAM來替代日本研究的衛(wèi)星上的SRAM以及閃存。

“MRAM替代了Angstrom為SpriteSat設計的模塊中的閃存以及電池供電的SRAM,”位于斯德哥爾摩的瑞典皇家科技學院材料以及陀螺電子學專家、教授Johan Akerman說,“MRAM能夠重新配置重要的程序以及衛(wèi)星任務的不同級的路線分辨率,這就是它的重大益處。”

MRAM的構想在1990年提出,意在替代從RAM到硬盤的不同類型的存儲器。因為它屬于固體存儲器,MRAM超過了硬盤的旋轉(zhuǎn)機制。此外,因為每一個比特可以無限次地擦除和重寫,MRAM超過了閃存,閃存只能以大塊擦除和重寫1百萬次,然后將失效。MRAM還是非易失性存儲器。

除了這些好處之外,MRAM還有待完善。因為在MRAM發(fā)展過程中存在的問題,即使最高密度的MRAM芯片,如飛思卡爾的MR2A16A只能以大約20美元的單位成本存儲4Mb的數(shù)據(jù),相比之下,價值5美元的閃存可以存儲4Gb。對于像軍事以及航天這樣的利基應用,MRAM正開始替代其它類型的存儲器。

Angstrom Aerospace正在其衛(wèi)星子系統(tǒng)中獨家采用MRAM。MRAM將存儲程序數(shù)uyiji為現(xiàn)場可編程陣列存儲配置比特。此外,MRAM具有比較方便的可重編程性,從而容許程序代碼以及FPGA被由地面上傳遞至MRAM的新存儲鏡像進行重新配置。

Angstrom Aerospace的子系統(tǒng)將在2008年下半年由SpriteSat衛(wèi)星發(fā)射升空,其中搭載的復雜磁強計將檢測地球的磁場以及衛(wèi)星的軌道。SpriteSat的整個任務就是在較高的大氣層通過可見光效應來研究“Sprites”。

此外,位于英國的e2v'Technologies PLC宣布,它正在測試飛思卡爾半導體公司的MR2A16A MRAM,以便驗證其是否符合-55度+125的軍用溫度規(guī)范。目前,飛思卡爾的MRAM工作溫度在-40 至+105度之間。