發布日期：2022-04-29 點擊率：50
在晶圓上而非封裝內測試 Si 和GaN/SiC 器件時，研發工程師和測試操作員面臨著收集高精度數據的一些挑戰。其中包括需要在高電壓下抗電弧的探針和系統、用于高電流的低電阻探針和晶圓接觸，以及對薄晶圓的特殊處理。同時，對“快速獲取準確數據”的需求需要快速輕松地設置復雜的高功率測試配置，同時考慮到操作員和設備。Keysight的緊密集成儀器完善了系統，以提供測量精度和可重復性。
來自 FormFactor 的預先驗證、交鑰匙、綜合、集成的測量系統為重要的測試應用提供安心和即時、開箱即用的生產力。
這些是免費提供的。FormFactor 的 IMS 解決方案不包括Keysight定價或集成費用的加價。
這個功率半導體器件表征系統建立在研發儀器領域和分析探針系統領域——FormFactor IMS-K-Power 的基礎之上。
配備 Keysight PDA 的全面、交鑰匙集成測量系統 (IMS) 用于晶圓上研發功率半導體器件特性測量
業界有效率、準確的功率半導體器件表征系統
實現高質量測量的更快、更經濟的途徑
