Microchip Technology 通孔安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產品、在 3ohms 柵源電壓下具有 10V 的漏源電阻。它具有 60V 的放電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它具有 350mA 的連續漏電流和 1W 的最大功耗。 此 MOSFET 的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V 。MOSFET 是一種增強模式（通常關閉）晶體管、采用垂直 DMOS 結構和經過充分驗證的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該設備是所有 MOS 結構的一個重要特征、不會出現熱失控和熱誘發的二次擊穿。此垂直 DMOS FET 已針對更低的開關和傳導損耗進行了優化。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
?易于并行
? 極好的熱穩定性
?無需二次故障
?高輸入阻抗和高增益
?集成源排放二極管
?低 CISS 和快速切換速度
?低功率驅動要求
?工作溫度范圍在 -55°C 和 150°C 之間
?模擬開關
?電池供電系統
?通用線路驅動器
?邏輯電平接口 - 非常適合 TTL 和 CMOS
?光電驅動
?固態繼電器
?電信交換機
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? JEDEC
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 350 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-92 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 4.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 寬度 | 4.06mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 5.08mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
