Infineon HSOF-8 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產品、在 10V 柵源電壓下具有 1.5mohm 的漏極源電阻。MOSFET 具有 300A 的連續漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 100V 。它的最大功耗為 375W 。 MOSFET 的最小和最大驅動電壓分別為 6V 和 10V 。它經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
? 100% 雪崩測試
?出色的柵電荷 x RDS （接通）產品（ FOM ）
? 無鹵素
?適用于高切換頻率
?無鉛 (Pb) 電鍍
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?針對同步整流進行了優化
?輸出電容降低高達 44%
? RDS （接通）降低多達 44%
?極低接通電阻 RDS （接通）
?適配器
?輕型電動車
?低電壓驅動
?服務器電源
? 太陽能
? 電信
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 300 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | HSOF-8. |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 引腳數目 | 8 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 長度 | 10.1mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 10.58mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 169 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
