新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術
在整個工作溫度范圍內，漏-源擊穿電壓最小為 1000 V
新低阻抗封裝，帶驅動器源
漏極與源極之間 8 mm 漏電/間隙
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，帶低漏-源通態電阻
可耐受雪崩
快速固有二極管，帶低反向恢復
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 35 A |
| 最大漏源電壓 | 1000 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 90 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 113.5 W |
| 最大柵源電壓 | -8 V、+19 V |
| 長度 | 16.13mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 35 nC @ 15 V，35 nC @ 4 V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 5.21mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
